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Référence fabricant | 12LRS684C |
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Numéro de pièce future | FT-12LRS684C |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 1200LRS |
12LRS684C Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | - |
Inductance | 680µH |
Tolérance | ±15% |
Note actuelle | 500mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Shielded |
Résistance DC (DCR) | 1.65 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C |
Fréquence d'inductance - Test | 10kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.413" Dia (10.50mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.335" (8.50mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
12LRS684C Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 12LRS684C-FT |
15334C
Murata Power Solutions Inc.
15473C
Murata Power Solutions Inc.
15474C
Murata Power Solutions Inc.
15683C
Murata Power Solutions Inc.
15684C
Murata Power Solutions Inc.
1410524C
Murata Power Solutions Inc.
1422455C
Murata Power Solutions Inc.
1433428C
Murata Power Solutions Inc.
1447385C
Murata Power Solutions Inc.
1422311C
Murata Power Solutions Inc.
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel