maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / 12F60BBN R R
Référence fabricant | 12F60BBN R R |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-12F60BBN R R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
12F60BBN R R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
12F60BBN R R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 12F60BBN R R-FT |
V30D60CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
B482F-2T
Sensata-Crydom
B484G-2
Sensata-Crydom
M50100DD600
Sensata-Crydom
M5060CC1600
Sensata-Crydom
M5060CC400
Sensata-Crydom
M5060CC600
Sensata-Crydom
M5060THA1200
Sensata-Crydom
M5060THA1600
Sensata-Crydom
M5060THC1200
Sensata-Crydom
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
LCMXO256E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S100-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG484
Microsemi Corporation
AGLN030V2-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP1K50FC484-2
Intel
EP3SE80F1152C4L
Intel
EP4SE820H35I3N
Intel
XC7VX415T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5CGXFC4C6M13C7N
Intel