maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / 12F60BBN R R
Référence fabricant | 12F60BBN R R |
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Numéro de pièce future | FT-12F60BBN R R |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
12F60BBN R R Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 600V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | - |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Température de fonctionnement - Jonction | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
12F60BBN R R Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 12F60BBN R R-FT |
V30D60CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
B482F-2T
Sensata-Crydom
B484G-2
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M50100DD600
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M5060CC1600
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M5060CC600
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M5060THA1200
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M5060THC1200
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MPF300TL-FCG484I
Microsemi Corporation
EP3CLS150F484C7
Intel
10AX027E3F27I2LG
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10M08SCU169A7G
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5SGXMBBR2H43I2LN
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XC7K160T-1FFG676C
Xilinx Inc.
XCKU5P-L1SFVB784I
Xilinx Inc.
LFE2M35E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1500EBC652-1
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EP20K200CB356C7
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