maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 12F100BBN R Y
Référence fabricant | 12F100BBN R Y |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-12F100BBN R Y |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
12F100BBN R Y Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1000V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.26V @ 38A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | - |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
12F100BBN R Y Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 12F100BBN R Y-FT |
S300ZR
GeneSiC Semiconductor
S320J
GeneSiC Semiconductor
S320JR
GeneSiC Semiconductor
S320K
GeneSiC Semiconductor
S320KR
GeneSiC Semiconductor
S320M
GeneSiC Semiconductor
S320MR
GeneSiC Semiconductor
S320Q
GeneSiC Semiconductor
S320QR
GeneSiC Semiconductor
S380YR
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-4000ZE-3TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX150-N3FG676I
Xilinx Inc.
APA600-PQG208I
Microsemi Corporation
EP1S10F484C5N
Intel
EP1S10F484C6
Intel
A54SX32A-TQ100M
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3M132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U3F45I2LG
Intel
5CGXFC4C6M13C7N
Intel
EP3C55F780C7
Intel