maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - Bipolaires (BJT) - RF / 1214-110M
Référence fabricant | 1214-110M |
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Numéro de pièce future | FT-1214-110M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
1214-110M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de transistor | NPN |
Tension - Panne de l'émetteur du collecteur (max.) | 75V |
Fréquence - Transition | 1.2GHz ~ 1.4GHz |
Figure de bruit (dB Typ @ f) | - |
Gain | 7.4dB |
Puissance - Max | 270W |
Gain en courant continu (hFE) (Min) @ Ic, Vce | - |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 8A |
Température de fonctionnement | 200°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Paquet / caisse | 55KT |
Package d'appareils du fournisseur | 55KT |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1214-110M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1214-110M-FT |
MRF10031
M/A-Com Technology Solutions
MAPRST0912-50
M/A-Com Technology Solutions
MAPRST0912-350
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Xilinx Inc.
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Lattice Semiconductor Corporation