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Référence fabricant | 11LC080T-I/MNY |
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Numéro de pièce future | FT-11LC080T-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
11LC080T-I/MNY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 8Kb (1K x 8) |
Fréquence d'horloge | 100kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Single Wire |
Tension - Alimentation | 2.5V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TDFN (2x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11LC080T-I/MNY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 11LC080T-I/MNY-FT |
W25Q16FWZPIQ
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ON Semiconductor
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Microchip Technology
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Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
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10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
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