maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 11AA080-I/P
Référence fabricant | 11AA080-I/P |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-11AA080-I/P |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
11AA080-I/P Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 8Kb (1K x 8) |
Fréquence d'horloge | 100kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Single Wire |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Package d'appareils du fournisseur | 8-PDIP |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11AA080-I/P Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 11AA080-I/P-FT |
W25P20VSNIG T&R
Winbond Electronics
W25P40VSNIG
Winbond Electronics
W25P40VSNIG T&R
Winbond Electronics
W25Q128FVTIQ
Winbond Electronics
W25Q16CLSNIG TR
Winbond Electronics
W25Q16CLSVIG
Winbond Electronics
W25Q16CLSVIG TR
Winbond Electronics
W25Q16DVSNIG
Winbond Electronics
W25Q16DVSNIG TR
Winbond Electronics
W25Q16DWSNIG
Winbond Electronics
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel