maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / 11AA020T-I/MNY
Référence fabricant | 11AA020T-I/MNY |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-11AA020T-I/MNY |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
11AA020T-I/MNY Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | EEPROM |
La technologie | EEPROM |
Taille mémoire | 2Kb (256 x 8) |
Fréquence d'horloge | 100kHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | 5ms |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Single Wire |
Tension - Alimentation | 1.8V ~ 5.5V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 85°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 8-WFDFN Exposed Pad |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TDFN (2x3) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11AA020T-I/MNY Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 11AA020T-I/MNY-FT |
24LC16BT-E/MNY
Microchip Technology
25LC160CT-I/MNY
Microchip Technology
25LC320AT-E/MNY
Microchip Technology
M24256-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M24512-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M24C08-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M24C16-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M24C64-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M95020-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
M95040-DRMF3TG/K
STMicroelectronics
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel