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Référence fabricant | 1130-6R8M-RC |
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Numéro de pièce future | FT-1130-6R8M-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 1130 |
1130-6R8M-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 21A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 1.100" Dia (27.94mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1130-6R8M-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1130-6R8M-RC-FT |
2000-R8-V-RC
Bourns Inc.
1140-103K-RC
Bourns Inc.
1140-222K-RC
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1140-101K-RC
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Bourns Inc.
1140-221K-RC
Bourns Inc.
1140-102K-RC
Bourns Inc.
XA6SLX25-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC3S700AN-4FG484C
Xilinx Inc.
U1AFS1500-FG256
Microsemi Corporation
5SGXMA7K3F40I3LN
Intel
5SGXEB5R1F40I2N
Intel
XC5VLX110T-1FF1136I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE30F29C8L
Intel
EPF81188ARC240-4AA
Intel
EP4SGX110HF35I4N
Intel