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Référence fabricant | 1130-6R8M-RC |
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Numéro de pièce future | FT-1130-6R8M-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 1130 |
1130-6R8M-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 21A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 1.100" Dia (27.94mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1130-6R8M-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1130-6R8M-RC-FT |
2000-R8-V-RC
Bourns Inc.
1140-103K-RC
Bourns Inc.
1140-222K-RC
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Xilinx Inc.
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Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
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A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
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10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
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ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation