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Référence fabricant | 1130-2R7M-RC |
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Numéro de pièce future | FT-1130-2R7M-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 1130 |
1130-2R7M-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.7µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 21A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 1.100" Dia (27.94mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1130-2R7M-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1130-2R7M-RC-FT |
1140-471K-RC
Bourns Inc.
1140-150K-RC
Bourns Inc.
1140-100K-RC
Bourns Inc.
1140-821K-RC
Bourns Inc.
1140-122K-RC
Bourns Inc.
1140-270K-RC
Bourns Inc.
1140-5R6M-RC
Bourns Inc.
1140-6R8M-RC
Bourns Inc.
1140-123K-RC
Bourns Inc.
1140-152K-RC
Bourns Inc.
XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation