maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / 1120-6R8M
Référence fabricant | 1120-6R8M |
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Numéro de pièce future | FT-1120-6R8M |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 1120 |
1120-6R8M Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 6.8µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 11.4A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 7 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.810" Dia (20.57mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1120-6R8M Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1120-6R8M-FT |
1130-102K
Bourns Inc.
1130-120K
Bourns Inc.
1130-121K
Bourns Inc.
1130-122K
Bourns Inc.
1130-150K
Bourns Inc.
1130-151K
Bourns Inc.
1130-152K
Bourns Inc.
1130-180K
Bourns Inc.
1130-181K
Bourns Inc.
1130-182K
Bourns Inc.
EPF6024ATC144-2N
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XCS05XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
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5SEE9H40C4N
Intel
5SGXEA9K3H40C2N
Intel
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Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
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EPF10K100EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35C2LN
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