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Référence fabricant | 1120-3R9M-RC |
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Numéro de pièce future | FT-1120-3R9M-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 1120 |
1120-3R9M-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 3.9µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 11.4A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.810" Dia (20.57mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1120-3R9M-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1120-3R9M-RC-FT |
1130-271K-RC
Bourns Inc.
1130-102K-RC
Bourns Inc.
1130-121K-RC
Bourns Inc.
1130-182K-RC
Bourns Inc.
1130-332K-RC
Bourns Inc.
1130-331K-RC
Bourns Inc.
1130-330K-RC
Bourns Inc.
1130-181K-RC
Bourns Inc.
1130-100K-RC
Bourns Inc.
1130-120K-RC
Bourns Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation