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Référence fabricant | 1110-8R2M-RC |
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Numéro de pièce future | FT-1110-8R2M-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 1110 |
1110-8R2M-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 8.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 9A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 9 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.660" Dia (16.76mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-8R2M-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1110-8R2M-RC-FT |
1130-471K
Bourns Inc.
1130-472K
Bourns Inc.
1130-4R7M
Bourns Inc.
1130-560K
Bourns Inc.
1130-560K-RC
Bourns Inc.
1130-561K
Bourns Inc.
1130-5R6M
Bourns Inc.
1130-680K
Bourns Inc.
1130-681K
Bourns Inc.
1130-6R8M
Bourns Inc.
XC6SLX9-2FT256C
Xilinx Inc.
AX500-FGG484
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I3LN
Intel
10CL025YE144C6G
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FBG900C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation