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Référence fabricant | 1110-2R2M-RC |
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Numéro de pièce future | FT-1110-2R2M-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 1110 |
1110-2R2M-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 9A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.660" Dia (16.76mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-2R2M-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1110-2R2M-RC-FT |
1130-2R2M
Bourns Inc.
1130-2R2M-RC
Bourns Inc.
1130-2R7M
Bourns Inc.
1130-330K
Bourns Inc.
1130-331K
Bourns Inc.
1130-332K
Bourns Inc.
1130-390K
Bourns Inc.
1130-391K
Bourns Inc.
1130-392K
Bourns Inc.
1130-3R3M
Bourns Inc.
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel