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Référence fabricant | 1110-1R2M-RC |
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Numéro de pièce future | FT-1110-1R2M-RC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | 1110 |
1110-1R2M-RC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Wirewound |
Matériau - Noyau | Ferrite |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±20% |
Note actuelle | 9A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 3 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Fréquence - Auto-résonance | - |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 1kHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Radial |
Package d'appareils du fournisseur | - |
Taille / Dimension | 0.660" Dia (16.76mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.840" (21.34mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1110-1R2M-RC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 1110-1R2M-RC-FT |
1130-221K
Bourns Inc.
1130-222K
Bourns Inc.
1130-270K
Bourns Inc.
1130-271K
Bourns Inc.
1130-272K
Bourns Inc.
1130-2R2M
Bourns Inc.
1130-2R2M-RC
Bourns Inc.
1130-2R7M
Bourns Inc.
1130-330K
Bourns Inc.
1130-331K
Bourns Inc.
XC4005XL-2TQ144C
Xilinx Inc.
XC2S100-6FGG256C
Xilinx Inc.
A54SX32A-CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE10E22I8LN
Intel
5SGXEABK2H40I2LN
Intel
5SGXMABK2H40I3LN
Intel
A42MX09-PL84I
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K3F35E2SG
Intel
EP3C80F780C7N
Intel