maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Simple / 10ETS12
Référence fabricant | 10ETS12 |
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Numéro de pièce future | FT-10ETS12 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
10ETS12 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 10A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.1V @ 10A |
La vitesse | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-2 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AC |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10ETS12 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 10ETS12-FT |
VS-15ETH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30ETU12T-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETH03-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-8ETL06-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E5TX3012-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3007T-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU1506-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX3007-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX3007T-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-HFA15TB60-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2-1200ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1200E-4FG320C
Xilinx Inc.
XC2VP7-6FGG456C
Xilinx Inc.
A1010B-2PL68I
Microsemi Corporation
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
5SEEBF45I3N
Intel
5SGXEA5K3F35I3N
Intel
XC4013XL-1BG256I
Xilinx Inc.
XC4VFX60-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation