maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Diodes - Redresseurs - Matrices / 10CTQ150
Référence fabricant | 10CTQ150 |
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Numéro de pièce future | FT-10CTQ150 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
10CTQ150 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Configuration de la diode | 1 Pair Common Cathode |
Type de diode | Schottky |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 150V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) (par diode) | 5A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 930mV @ 5A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 150V |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 175°C |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
10CTQ150 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 10CTQ150-FT |
VS-25CTQ045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ035-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ035HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ040-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ045-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ050-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ060-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ080-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30CTQ100-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-32CTQ025-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-12E-5T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3SD1800A-4CS484C
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4
Intel
10M08DCV81C8G
Intel
5SGXMB6R1F43C2LN
Intel
5SGXMA5K3F35I3LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157C
Xilinx Inc.
A42MX16-3PL84
Microsemi Corporation
A40MX04-1PQ100
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation