maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs électrolytiques en aluminium / 100SGV4R7M8X10.5
Référence fabricant | 100SGV4R7M8X10.5 |
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Numéro de pièce future | FT-100SGV4R7M8X10.5 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | SGV |
100SGV4R7M8X10.5 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 4.7µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 100V |
ESR (résistance série équivalente) | - |
Durée de vie @ Temp. | 2000 Hrs @ 105°C |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 105°C |
Polarisation | Polar |
Évaluations | AEC-Q200 |
Applications | Automotive |
Courant d'ondulation à basse fréquence | - |
Courant d'ondulation à haute fréquence | - |
Impédance | - |
Espacement des fils | - |
Taille / Dimension | 0.315" Dia (8.00mm) |
Hauteur - assis (max) | 0.453" (11.50mm) |
Surface du terrain de montage | 0.327" L x 0.327" W (8.30mm x 8.30mm) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Radial, Can - SMD |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
100SGV4R7M8X10.5 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 100SGV4R7M8X10.5-FT |
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XC4006E-1TQ144C
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A54SX32-1TQG144I
Microsemi Corporation
EPF8282AVTC100-4
Intel
EP20K200FC484-2XV
Intel
5SGXEABN1F45C2N
Intel
5SEEBH40I3N
Intel
XC2VP20-6FF1152C
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC6E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGZME3H2F35I3LN
Intel