maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / 0805J1000271JDR
Référence fabricant | 0805J1000271JDR |
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Numéro de pièce future | FT-0805J1000271JDR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
0805J1000271JDR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 270pF |
Tolérance | ±5% |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | X7R |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Temperature |
Évaluations | - |
Applications | High Reliability |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.051" (1.30mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
0805J1000271JDR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 0805J1000271JDR-FT |
0805J1000221JCR
Knowles Syfer
0805J1000221JCT
Knowles Syfer
0805J1000221JDR
Knowles Syfer
0805J1000221JDT
Knowles Syfer
0805J1000221JFR
Knowles Syfer
0805J1000221JFT
Knowles Syfer
0805J1000221JQT
Knowles Syfer
0805J1000221JXR
Knowles Syfer
0805J1000221JXT
Knowles Syfer
0805J1000221KCR
Knowles Syfer
AGLN015V5-QNG68
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-3FG676I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
M2GL050T-1VF400I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
EP2C5Q208C8N
Intel
EP20K30EQC208-1
Intel