maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / 0805J1000183MDR
Référence fabricant | 0805J1000183MDR |
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Numéro de pièce future | FT-0805J1000183MDR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
0805J1000183MDR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 0.018µF |
Tolérance | ±20% |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | X7R |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Temperature |
Évaluations | - |
Applications | High Reliability |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0805 (2012 Metric) |
Taille / Dimension | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.051" (1.30mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
0805J1000183MDR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | 0805J1000183MDR-FT |
0805J1000160JQT
Knowles Syfer
0805J1000160KQT
Knowles Syfer
0805J1000161FQT
Knowles Syfer
0805J1000161GQT
Knowles Syfer
0805J1000161JQT
Knowles Syfer
0805J1000161KQT
Knowles Syfer
0805J1000180FCR
Knowles Syfer
0805J1000180FCT
Knowles Syfer
0805J1000180FFR
Knowles Syfer
0805J1000180FFT
Knowles Syfer
AGLN015V5-QNG68
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-3FG676I
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
M2GL050T-1VF400I
Microsemi Corporation
LAE3-17EA-6FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7H3F35I4N
Intel
XC7V585T-L2FFG1157E
Xilinx Inc.
APA075-TQ100
Microsemi Corporation
EP2C5Q208C8N
Intel
EP20K30EQC208-1
Intel