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Référence fabricant | VS-12FL10S05 |
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Numéro de pièce future | FT-VS-12FL10S05 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
VS-12FL10S05 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 12A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 1.4V @ 12A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 500ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 50µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Chassis, Stud Mount |
Paquet / caisse | DO-203AA, DO-4, Stud |
Package d'appareils du fournisseur | DO-203AA |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-12FL10S05 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | VS-12FL10S05-FT |
VS-12F40
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-12F20
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FES16GT/45
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FES16GTHE3/45
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SBLF1030-E3/45
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XC3S400A-4FG400I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208A
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1DQI
Microchip Technology
EP1K30FC256-2N
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EP4CE6E22C8
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5SGXMA3K2F35C2N
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XC5VSX50T-2FFG1136I
Xilinx Inc.
5CGTFD5C5F23C7N
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10AX115R3F40I2SG
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