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Référence fabricant | UG4B-M3/73 |
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Numéro de pièce future | FT-UG4B-M3/73 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
UG4B-M3/73 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 100V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 4A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 4A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 15ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacité @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | DO-201AD, Axial |
Package d'appareils du fournisseur | DO-201AD |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
UG4B-M3/73 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | UG4B-M3/73-FT |
CGP30-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
DGP30-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51G-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP25M-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP30A-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP30B-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP30B-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP30D-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP30D-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP30G-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO640E-4T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XCV200-4FG456C
Xilinx Inc.
APA450-PQG208
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3CLS200F484I7N
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5SGXEA9K2H40C2LN
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5SGXEA7K2F35I2LN
Intel
A40MX04-1PLG44
Microsemi Corporation
5CEFA2U19C7N
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EP1S60F1020C6N
Intel