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Renesas Electronics America RQJ0303PGDQA#H6

Name: RQJ0303PGDQA#H6
Brand: Renesas Electronics America
SKU: RQJ0303PGDQA#H6
Availability: InStock
Rating: 5.0 (291 reviews)

Numéro de pièce MFG: RQJ0303PGDQA#H6

quantité disponible: 33240 Pièces

Prix de référence: USD 0

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Renesas Electronics America

Brève description: - MOSFET P-CH 30V 3.3A 3MPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: RQJ0303PGDQA#H6.pdf

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RQJ0303PGDQA#H6 Caractéristiques

Référence fabricant	RQJ0303PGDQA#H6
Numéro de pièce future	FT-RQJ0303PGDQA#H6
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	-
RQJ0303PGDQA#H6 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	3.3A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	68 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	-
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12nC @ 10V
Vgs (Max)	+10V, -20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	625pF @ 10V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	800mW (Ta)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	3-MPAK
Paquet / caisse	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
RQJ0303PGDQA#H6 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	RQJ0303PGDQA#H6-FT

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