maison / des produits / Protection de circuit / TVS - Diodes / MXLSMBJ100CAE3
Référence fabricant | MXLSMBJ100CAE3 |
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Numéro de pièce future | FT-MXLSMBJ100CAE3 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Military, MIL-PRF-19500 |
MXLSMBJ100CAE3 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type | Zener |
Canaux Unidirectionnels | - |
Canaux bidirectionnels | 1 |
Tension - Entretoise inversée (type) | 100V |
Tension - Panne (Min) | 111V |
Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 162V |
Courant - Crête Pulse (10 / 1000µs) | 3.7A |
Puissance - Peak Pulse | 600W |
Protection de ligne électrique | No |
Applications | General Purpose |
Capacité à fréquence | - |
Température de fonctionnement | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-214AA, SMB |
Package d'appareils du fournisseur | SMBJ (DO-214AA) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MXLSMBJ100CAE3 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MXLSMBJ100CAE3-FT |
MASMBJSAC45
Microsemi Corporation
MASMBJSAC45E3
Microsemi Corporation
MASMBJSAC5.0
Microsemi Corporation
MASMBJSAC6.0
Microsemi Corporation
MASMBJSAC7.0
Microsemi Corporation
MASMBJSAC7.0E3
Microsemi Corporation
MASMBJSAC75
Microsemi Corporation
MASMBJSAC75E3
Microsemi Corporation
MASMBJSAC8.0
Microsemi Corporation
MASMBJSAC8.0E3
Microsemi Corporation
XC6SLX75-3CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL025-FGG484
Microsemi Corporation
M1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
EP2C70F672C7N
Intel
10M08DCF484C8G
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5SGXMB5R2F40C2LN
Intel
EP4SGX530KF43C4N
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EP3SE80F1152C4N
Intel
LFEC1E-3QN208I
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LCMXO2-4000HE-5MG184I
Lattice Semiconductor Corporation