maison / des produits / Circuits intégrés (CI) / Mémoire / MT29F32G08AECBBH1-12:B TR
Référence fabricant | MT29F32G08AECBBH1-12:B TR |
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Numéro de pièce future | FT-MT29F32G08AECBBH1-12:B TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
MT29F32G08AECBBH1-12:B TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de mémoire | Non-Volatile |
Format de mémoire | FLASH |
La technologie | FLASH - NAND |
Taille mémoire | 32Gb (4G x 8) |
Fréquence d'horloge | 83MHz |
Ecrire le temps de cycle - Word, Page | - |
Temps d'accès | - |
Interface mémoire | Parallel |
Tension - Alimentation | 2.7V ~ 3.6V |
Température de fonctionnement | 0°C ~ 70°C (TA) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | 100-VBGA |
Package d'appareils du fournisseur | 100-VBGA (12x18) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F32G08AECBBH1-12:B TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | MT29F32G08AECBBH1-12:B TR-FT |
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMCGBJ4-37R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMEDBJ5-12:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMEDBJ5-12IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMHGBJ4-3R:G TR
Micron Technology Inc.
MT29F256G08CMHGBJ4-3RES:G TR
Micron Technology Inc.
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MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-M
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MT29F256G08EBHAFB16A3WC1-R
Micron Technology Inc.
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A54SX32A-2FGG484I
Microsemi Corporation
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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