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ON Semiconductor IRLI610ATU

Numéro de pièce MFG
IRLI610ATU
quantité disponible
59480 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
ON Semiconductor
Brève description
- MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRLI610ATU.pdf
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IRLI610ATU Caractéristiques

Référence fabricant IRLI610ATU
Numéro de pièce future FT-IRLI610ATU
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRLI610ATU Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 1.65A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 5V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur I2PAK (TO-262)
Paquet / caisse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRLI610ATU Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRLI610ATU-FT

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