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Référence fabricant | ES1DL MQG |
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Numéro de pièce future | FT-ES1DL MQG |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
ES1DL MQG Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 1A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 950mV @ 1A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 35ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacité @ Vr, F | 10pF @ 1V, 1MHz |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | DO-219AB |
Package d'appareils du fournisseur | Sub SMA |
Température de fonctionnement - Jonction | -55°C ~ 150°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ES1DL MQG Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | ES1DL MQG-FT |
SS115L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LHRQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS115LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS12LHRQG
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SS12LHRTG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RQG
Taiwan Semiconductor Corporation
SS13L RTG
Taiwan Semiconductor Corporation
AGLN020V2-UCG81
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A3P1000-2FGG484I
Microsemi Corporation
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5SGXMA7N2F45C2
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Lattice Semiconductor Corporation
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