maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / CBR06C129C1GAC
Référence fabricant | CBR06C129C1GAC |
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Numéro de pièce future | FT-CBR06C129C1GAC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CBR-SMD RF C0G |
CBR06C129C1GAC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 1.2pF |
Tolérance | ±0.25pF |
Tension - nominale | 100V |
Coéfficent de température | C0G, NP0 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss, Ultra Low ESR |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0603 (1608 Metric) |
Taille / Dimension | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.034" (0.87mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR06C129C1GAC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CBR06C129C1GAC-FT |
CBR06C220JAGAC
KEMET
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A54SX16A-TQ144A
Microsemi Corporation
XC7A15T-1CSG325C
Xilinx Inc.
EP20K1000CF672C7ES
Intel
EP20K300EFC672-2XA
Intel
EP3C16F256C6N
Intel
EP3SL340F1517C4N
Intel
XCKU035-3SFVA784E
Xilinx Inc.
LCMXO640C-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTMC3D3F31I3N
Intel
EP2SGX60DF780I4
Intel