maison / des produits / Condensateurs / Condensateurs en céramique / CBR02C479B8GAC
Référence fabricant | CBR02C479B8GAC |
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Numéro de pièce future | FT-CBR02C479B8GAC |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CBR-SMD RF C0G |
CBR02C479B8GAC Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Capacitance | 4.7pF |
Tolérance | ±0.1pF |
Tension - nominale | 10V |
Coéfficent de température | C0G, NP0 |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Caractéristiques | High Q, Low Loss, Ultra Low ESR |
Évaluations | - |
Applications | RF, Microwave, High Frequency |
Taux d'échec | - |
Type de montage | Surface Mount, MLCC |
Paquet / caisse | 0201 (0603 Metric) |
Taille / Dimension | 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Épaisseur (Max) | 0.013" (0.33mm) |
Espacement des fils | - |
Style de plomb | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR02C479B8GAC Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | CBR02C479B8GAC-FT |
CBR02C208A8GAC
KEMET
CBR02C208A9GAC
KEMET
CBR02C208B8GAC
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CBR02C209C3GAC
KEMET
AGL400V2-FG256
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600CF672I8N
Intel
EP2AGZ300FH29I3N
Intel
XC2V1000-5BG575I
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1760C
Xilinx Inc.
M1AGL600V2-CS281
Microsemi Corporation
LFEC15E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115U4F45I4SGES
Intel