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AOW25S65 Image

Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOW25S65

Numéro de pièce MFG
AOW25S65
quantité disponible
74160 Pièces
Prix de référence
USD 1.60908
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Date d'expédition
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fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Brève description
aMOS™ MOSFET N-CH 650V 25A TO262
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
AOW25S65.pdf
AOW25S65 Image

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AOW25S65 Caractéristiques

Référence fabricant AOW25S65
Numéro de pièce future FT-AOW25S65
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries aMOS™
AOW25S65 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Not For New Designs
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 650V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 26.4nC @ 10V
Vgs (Max) ±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1278pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 357W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-262
Paquet / caisse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
AOW25S65 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange AOW25S65-FT

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