maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / AOW2500
Référence fabricant | AOW2500 |
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Numéro de pièce future | FT-AOW2500 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
AOW2500 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 11.5A (Ta), 152A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2 mOhm @ 20A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 136nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 6460pF @ 75V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta), 375W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AOW2500 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | AOW2500-FT |
ZXMN6A08GQTC
Diodes Incorporated
ZXMP10A17GQTA
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XC4VLX40-11FFG1148I
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A3P1000-FGG144T
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LCMXO640E-3MN100C
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